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東芝推出全球首款^注148層3D堆疊式結構閃存^注2，該閃存容量達到256Gb（32GB），同時采用了行業領先的三階存儲單元（TLC）技術。這款全新閃存適用于各種產品應用，包括消費級固態硬盤(SSD)、智能手機、平板電腦和內存卡以及面向數據中心的企業級SSD。據悉，樣品將于9月開始發貨。

東芝全球首款全球首款256Gb、48層堆疊閃存BiCS FLASH™

東芝BiCS FLASH™采用目前世界最尖端的48層堆疊工藝，超越主流2D NAND閃存的容量，同時提高了可寫入/擦除次數及可靠性，并提高了寫入速度。

自2007年在全球首次推出了3D堆疊式結構閃存以來^注3，東芝一直致力于優化大批量生產的研發。為更好地滿足快速增長的閃存市場需求，東芝將瞄準大容量、小型化的應用領域，積極推動3D堆疊式結構閃存，推出SSD等產品組合。

東芝于1987年在世界上最早開發出NAND閃存，作為閃存世界的締造者，一直秉承專業的精神，為消費者提供高速、優質的專業閃存體驗。目前，這一產品在東芝四日市工廠開始生產，預計于2016年上半年完工的新工廠也將生產該產品。

注1：據東芝調查。

注2：一種在硅基板上垂直堆疊閃存存儲單元的結構，相比平面NAND閃存（存儲單元位于硅基板上），極大地提高了密度。

注3：據2007年6月12日東芝發布資料

* BiCS FLASH™是東芝公司的商標。